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　　光明日報北京2月28日電（記者崔興毅）日前，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。

　　氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優異的物理化學特性，在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。

　　據了解，中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從大尺寸氧化鎵熱場設計出發，成功構建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長的熱場結構，突破了6英寸氧化鎵單晶生長技術，具有良好的結晶性能，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制，將有力支撐我國氧化鎵材料實用化進程和相關產業發展。

　　近年來，中國電科圍繞國家戰略需求，在氧化鎵、氮化鋁、金剛石等超寬禁帶半導體材料領域砥礪深耕并取得重大突破和標志性成果，有力支撐了我國超寬禁帶半導體材料的發展。