在信息爆炸的時代，信息存儲尤為關鍵。記者了解到，近期我國科研人員突破了原子級平整反鐵磁金屬單晶薄膜的關鍵制備技術，使超快速響應超高密度反鐵磁隨機存取存儲器的研制成為可能，有望大幅提升手機、計算機等信息產(chǎn)品運行速度。

　　該研究由北京航空航天大學材料學院磁性功能材料研究團隊、華中科技大學物理學院、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所加工平臺合作完成，相關成果近日在國際學術期刊《自然》雜志上發(fā)表。

　　磁性功能材料是大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲機械硬盤的核心材料，相較于傳統(tǒng)半導體存儲器，磁存儲器件依賴非易失量子自旋屬性，儲存能力更加穩(wěn)定。反鐵磁材料便是一類新型磁存儲材料，作為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，相鄰數(shù)據(jù)位可以密排列以提升存儲密度，并且可使數(shù)據(jù)寫入速度大幅提升。

　　據(jù)了解，此前已有的反鐵磁存儲器件的電信號輸出，主要依賴面內(nèi)電子輸運的各向異性磁電阻效應，高低阻態(tài)之間的電阻差值很小，常溫下數(shù)據(jù)寫入后難以有效讀出，導致出現(xiàn)亂碼等無效儲存情況。

　　“就像流水一樣，高低落差越大，水流越順暢。這里的高低阻態(tài)之間的電阻差值變大，數(shù)據(jù)寫入后才能被電路更清晰地識別出來。”該論文第一單位通訊作者、北京航空航天大學材料學院教授劉知琪舉例說。

　　劉知琪介紹，科研團隊突破了原子級平整反鐵磁金屬單晶薄膜的關鍵制備技術，通過界面應力誘導非共線反鐵磁單晶薄膜的晶格四方度變化，產(chǎn)生了單軸磁各向異性，以及顯著的反常霍爾效應。基于該反常霍爾效應，實驗發(fā)現(xiàn)了全反鐵磁異質(zhì)界面（共線反鐵磁/非共線反鐵磁）的交換偏置效應，從而設計制備出多層膜新型全反鐵磁存儲器件，大幅提升了數(shù)據(jù)讀出可靠性。

　　“新型反鐵磁存儲器件實現(xiàn)了垂直電子輸運，對比原有面內(nèi)電子輸運的反鐵磁存儲器件，它的常溫高低阻態(tài)差值提升了近3個數(shù)量級，從而有望使信息存儲速度和密度大幅提升。”該論文另一通訊作者、北京航空航天大學材料學院教授蔣成保說。

　　（記者趙旭）